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          LED技术突破

        1. 发布日期:2021-07-10      浏览次数:259
          • 4 月21日消息 国星光电今日宣布,他们联合华南理工大学联合建立的广东省半导体微显示企业重点实验室的最新研究成果发表在国际著名期刊《ACS Nano》。
             
            据介绍,该成果最终成功突破了量子点LED器件的发光效率瓶颈,刷新了同类器件最高发光效率行业纪录,有望加快该新技术的商业化进程,并巩固国星光电在Mini/Micro LED显示器件领域的技术优势地位。

             

            据称,目前常用的硒化镉、钙钛矿等量子点的光致发光效率已超过85%,高于传统稀土荧光粉材料,然而封装制成LED器件的发光效率普遍在50-130 lm/W(理论效率>200 lm/W),这一矛盾已困扰学界与行业多年。
             
            因此, 国星光电提出直方通孔复合量子点色转换结构及其强化出光机制,利用湿法机械搅拌把量子点高效组装于粒径匹配的直方通孔结构,通孔结构被低折射率硅树脂填充,所形成折射率差异可抑制荧光光子在通孔内部硅树脂基材的传播,显著减少重吸收损耗。
             
            得益于此,他们最终成功突破了量子点LED器件的发光效率瓶颈,获得超过200 lm/W的同类器件最高发光效率行业纪录(经CNAS认证第三方机构检测)。
             
            据了解,量子点色转换技术是Mini/Micro LED、OLED以及LCD宽色域显示的共性关键技术,在超清显示、虚拟显示等新兴领域应用潜力。

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